专利名称：一种用于纳米压印的含氟硅低表面能材料及其制备方法

专利类型：发明专利 ZL 200810204675.2

专利授予单位：中华人民共和国国家知识产权局

专利权人：华东理工大学

发明人：辛忠;曲丽

授权公告日：2014.04.09

专利简介：本发明公开了一种用于纳米压印的含氟硅低表面能材料及其制备方法，采用单酚或双酚，伯胺或二伯胺，甲醛作为原料，在有溶剂或无溶剂的条件下，酚，伯胺，醛混合，在60～200℃反应温度下，反应10min～12h，压力0.1～30MPa，得到苯并恶嗪单体；利用得到的苯并恶嗪单体，配成1～200mg/ml的溶液，均匀的旋涂在玻璃片或硅片或具有纳米图案的模板上，在60～300℃范围内进行热固化开环交联反应5min～20h，得到低表面能的聚苯并恶嗪。本发明的优点：原料比较低廉，成本较低；聚合物比较容易制备，热固化时不需要添加催化剂，且无副产物的生成；聚合物成膜性较好，聚合物膜的表面能比较低，抗粘性更好，可以得到更好的转移图案。