专利名称：一种合金表面原位氧化反应形成保护膜的制备方法
专利类型：发明专利 ZL 201210190196.6
专利授予单位：中华人民共和国国家知识产权局
专利权人：华东理工大学
发明人：刘京雷;颜磊;徐宏;叶先勇;王志远
授权公告日：2013.12.04
专利简介：本发明涉及一种精确控制制备合金表面原位氧化反应形成保护膜的制备方法，通过控制氧化气氛中的氧分压及氧化温度，在材料表面形成致密、稳定的三层结构氧化物保护膜。氧化膜由外
及内分别是：MnxCr3-xO4(0.5≤x≤1.5)尖晶石层，起主要保护作用；铬的氧化层，可为尖晶石层自修复提供Cr的氧化物；硅氧化物层，作为保护层与基体间元素的扩散障。该保护膜可有效地抑制材料服役时表面氧化、渗碳或结焦，延长使用寿命或清焦周期。