专利名称：一种短流程高密度低电阻块状石墨阳极的制备方法

专利类型：发明专利 ZL 201010224181.8

专利授予单位：中华人民共和国国家知识产权局

专利权人：华东理工大学

发明人：路贵民;张灿;于建国;孙泽

授权公告日：2013.08.28

专利简介：本发明涉及一种短流程高密度低电阻块状石墨阳极的制备方法，主要工艺过程是选用优质针状焦，添加少量石墨碎干混均匀，并加入改质沥青在一定温度下混捏，并经过捣固-振动-温模压成型，然后焙烧，再经过一次浸渍-焙烧，提高产品密度和强度，最后经过石墨化，降低产品电阻率即为成品。本发明的优点：制备工艺周期短，制造成本低，制备的石墨阳极具有高密度，低电阻率，内部结构细密均匀，灰分少，有较高的机械强度和抗热震性。