专利名称：上插阴极式镁电解槽

专利类型：发明专利 ZL 201410270102.5

专利授予单位：中华人民共和国国家知识产权局

专利权人：华东理工大学

发明人：刘程琳;孙泽;路贵民;于建国

授权公告日：2016.03.23

专利简介：本发明涉及一种上插阴极式镁电解槽，其包含阴极，阳极，电解室和集镁室，阴极从电解槽顶部插入到镁电解槽电解室中，且阴极和阳极平行；集镁室位于阴极和阳极的一侧。本发明改变了传统镁电解槽的结构，采用上插阴极的方法，优化了镁电解槽内电流和电解质的流动情况，充分利用了电极内电流方向和电解质的流动特性，提高了金属镁的分离效率。与原槽型相比，上插阴极式镁电解槽的金属镁分离率有所提高，同时阴阳极结构及排布更加规整，电解槽占用空间降低。